အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် Ta-C အလွှာ

၁။ ဟာ့ဒ်ဒစ်ဒရိုက်များ (HDD များ): ta-C အပေါ်ယံလွှာများကို လည်ပတ်နေသောဒစ်နှင့် ထပ်ခါတလဲလဲထိတွေ့ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ဟောင်းနွမ်းမှုနှင့် ပွန်းပဲ့မှုမှ HDD ရှိ ဖတ်/ရေးခေါင်းများကို ကာကွယ်ရန်အတွက် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။ ၎င်းသည် HDD များ၏သက်တမ်းကို တိုးချဲ့ပေးပြီး အချက်အလက်ဆုံးရှုံးမှုကို လျော့နည်းစေသည်။

၂။ မိုက်ခရိုလျှပ်စစ်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာစနစ်များ (MEMS): ၎င်းတို့၏ ပွတ်တိုက်မှုကိန်းနည်းပါးခြင်းနှင့် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းကြောင့် ta-C အပေါ်ယံလွှာများကို MEMS စက်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုသည်။ ၎င်းသည် ချောမွေ့စွာလည်ပတ်မှုကို သေချာစေပြီး အရှိန်မြှင့်ကိရိယာ၊ ဂျိုင်ရိုစကုပ်နှင့် ဖိအားအာရုံခံကိရိယာများကဲ့သို့သော MEMS အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို ရှည်ကြာစေသည်။
၃။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ- ထရန်စစ္စတာများနှင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများတွင် ta-C အပေါ်ယံလွှာများကို အသုံးပြု၍ ၎င်းတို့၏ အပူပျံ့နှံ့နိုင်စွမ်းကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ၎င်းသည် အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများ၏ အလုံးစုံ အပူစီမံခန့်ခွဲမှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပြီး အပူလွန်ကဲခြင်းကို ကာကွယ်ပေးပြီး တည်ငြိမ်သော လည်ပတ်မှုကို သေချာစေသည်။
၄။ အီလက်ထရွန်းနစ် ချိတ်ဆက်ကိရိယာများ- ပွတ်တိုက်မှုနှင့် ပွန်းစားမှုကို လျှော့ချရန်၊ ထိတွေ့မှု ခံနိုင်ရည်ကို လျှော့ချရန်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်မှုများကို သေချာစေရန်အတွက် ta-C အပေါ်ယံလွှာများကို အီလက်ထရွန်းနစ် ချိတ်ဆက်ကိရိယာများတွင် အသုံးပြုသည်။
၅။ အကာအကွယ်အလွှာများ- ta-C အလွှာများကို အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းအမျိုးမျိုးတွင် သံချေးတက်ခြင်း၊ အောက်ဆီဒေးရှင်းဖြစ်ခြင်းနှင့် ပြင်းထန်သော ပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေများမှ ကာကွယ်ရန်အတွက် အကာအကွယ်အလွှာများအဖြစ် အသုံးပြုကြသည်။ ၎င်းသည် အီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာများ၏ ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။
၆။ လျှပ်စစ်သံလိုက်ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှု (EMI) ကာကွယ်ခြင်း- ta-C အပေါ်ယံလွှာများသည် EMI ဒိုင်းများအဖြစ် လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး မလိုလားအပ်သော လျှပ်စစ်သံလိုက်လှိုင်းများကို ပိတ်ဆို့ကာ အာရုံခံနိုင်သော အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများကို ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုမှ ကာကွယ်ပေးသည်။
၇။ ရောင်ပြန်ဟပ်မှု ဆန့်ကျင်သော အပေါ်ယံလွှာများ- ta-C အပေါ်ယံလွှာများကို အလင်းပြန်မှုကို လျှော့ချပေးပြီး အလင်းပြန်မှုကို လျှော့ချပေးကာ အလင်းဆိုင်ရာ စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေရန်အတွက် အလင်းပြန်မှုကို ဆန့်ကျင်သော မျက်နှာပြင်များ ဖန်တီးရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။
၈။ ပါးလွှာသောဖလင်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများ- ta-C အပေါ်ယံလွှာများသည် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် ပါးလွှာသောဖလင်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများအဖြစ် ဆောင်ရွက်နိုင်ပြီး မြင့်မားသောလျှပ်စစ်စီးကူးမှုနှင့် လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှုကို ပေးစွမ်းသည်။